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创新设计及封装推动硅100V MOSFET产业
YolePR | 2017-11-13 14:22:32    阅读:520   发布文章

破坏性技术目前正推动硅功率100V MOSFET产业的稳定成长。 2016年整个41-100V MOSFET的市场规模总额已达13亿美元,而到2022年预计将达18亿美元。在如此市场动态下,作为逆向成本和技术分析的专业研究机构,System Plus Consulting旗下的专家持续追踪专门用于工业应用的100V MOSFET器件的技术进步发展和生产成本的演变。以最新的创新发展及其对制造流程的影响为重点,分别推出Industrial100V MOSFET Technology Review Industrial 100V MOSFET Cost Review两份报告System PlusConsulting的高级成本工程师Elena Barbarini博士表示:领先的电力电子公司逐渐增加在先进封装技术和新的设计解决方案方面的投资,以求能开发出具有更高电子性能的创新型功率MOSFET。这种运作方向是透过所有电力电子厂商不断的运作,以应对市场的演变。


100V MOSFET器件的先进封装有哪些创新?最新的设计是什么?对制程有什么影响?包含英飞凌科技Infineon(包括IRInternational Rectifier)、安森美半导体ONSemiconductor(包括飞兆半导体Fairchild)、东芝Toshiba、威世Vishay和意法半导体STMicroelectronics等,System Plus咨询公司为您提供了20个选定的100V MOSFET器件的详细的反向成本和技术分析。


一窥硅功率100V MOSFET组件内部组成

这两份报告都会辨识厘清和分析System PlusConsulting专家选定的20件组件之间的相似处和差异点。此一研究是透过研究具有相同的电压范围和类似的封装解决方案的研究对象,达到了解现阶段技术演进和其影响的目标。电力电子公司积极参与新型封装解决方案的开发。

System Plus ConsultingBarbarini博士解释说:我们分析和比较了五家主要制造商的产品。其中,飞兆半导体和国际整流器最近分别被安森美半导体和英飞凌收购。这些收购将促使公司在不久的将来,根据成本和绩效来选择投资组合中产品。



虽然名称各异,但大家却都有一致的目标,他们正在寻找更好的电气性能。铜线焊接制程,引线框架直接焊在芯片的源极连接方式...封装是解决市场需求的关键。目前,功率100VMOSFET制造成本中有50%是可以归算在封装部分。该设计也是技术演进的一部分。众家制造商最初开发了平面式(planar)MOSFET设计。今天,通过更深的沟槽,新的掺杂分布和外延制程技术,改进了诸如源沟槽结构和屏蔽栅的复杂设计。在硅功率MOSFET市场中,创新是一个持续的过程,受到宽能隙WBG技术,特别是GaN器件的竞争的推动。事实上,WBG解决方案推动了MOSFET厂商的不断创新。



时至今日,MOSFET厂商正在寻求更好的电气性能。他们每天都在寻找封装技术和设计创新与成本之间的相关平衡。来自SystemPlus Consulting100VMOSFET技术和成本评估报告全面描述和分析了这一挑战。

数据源
Power MOSFET 2017: Market andTechnology Trends report, Yole Développement, April 2017



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关于System Plus Consulting


System Plus Consulting专门从事电子零件设备的成本分析,从半导体器件到电子系统。创立于二十多年前,System Plus咨询公司开发了全套服务,成本核算工具和报告,以提供深入的生产成本研究和估算产品的客观销售价格。 System Plus顾问工程师是以下领域的专家:集成电路 - 功率组件和模块 -  MEMS和传感器 - 光电组件 -  LED  - 成像 - 显示 - 包装 - 电子机板和系统。透过每年进行数百次分析,System Plus Consulting提供了深入具参考价值的报告,协助客户了解其生产流程并确定生产成本。基于System Plus Consulting的结果,制造商能够将其生产成本与竞争对手的成本进行比较。 System Plus Consulting是Yole Dévelopement的姊妹公司。




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